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您正在寻找一颗能扛重任、值得信赖的核心存储芯片吗？MT29F4G08ABCHC-ET:C TR正是为您这样的需求而生。这颗由美光科技打造的4Gb（512M x 8）并行NAND闪存，专为要求严苛的嵌入式环境设计，它能为您的高速系统提供稳定、非易失的数据存储港湾，确保关键信息在断电后依然完好无损。

凭借其宽广的工业级工作温度范围（-40°C ~ 85°C）和1.7V~1.95V的低电压运行能力，它能让您的产品轻松应对极端气候与电压波动，无论是户外设备还是工业母机，都能获得持久可靠的数据存储能力。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，更让您高效利用每一寸电路板空间，实现更精巧、更强大的产品设计。

• 型号:MT29F4G08ABCHC-ET:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F4G08ABCHC-ET:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。