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当您的设计需要一颗在恶劣环境下依然“记忆力”超群、反应迅速的核心存储时，MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，专为汽车电子和工业级应用深度优化，它能为您做什么？它能让您的系统在-40°C到105°C的极端温度范围内，依然保持数据存取的稳定与高效，彻底告别因温度波动导致的数据丢失风险。

凭借其512M x 8的并行接口架构，它能提供快速的数据吞吐能力，轻松应对实时数据记录、固件存储或媒体缓存等任务。1.7V~1.95V的低工作电压，助力您设计出更节能的产品。选择它，就是为您的智能汽车模块、工业控制器或高端物联网设备，注入了一颗经久耐用、值得完全信赖的“数据心脏”。

• 制造商产品型号：MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：Automotive, AEC-Q100
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：4Gb（512M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 105°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F4G08ABBFAH4-AATES:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。