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您正在寻找一颗能扛起数据存储重任、历经考验的“老兵”吗？MT29F4G08ABBEAH4:E 正是这样一款经典之作。它为您提供高达4Gb（512M x 8）的可靠非易失存储空间，采用成熟的并行NAND闪存技术，让您的系统能够高效、稳定地存取海量程序代码、用户数据或日志信息。

这颗芯片能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，帮助您轻松优化整体设备的能效表现。其63-VFBGA表面贴装封装极为紧凑，为您释放宝贵的电路板空间，让产品设计更富弹性。无论是用于工业控制、网络通信还是消费电子领域，它都能以经过市场长期验证的卓越可靠性，让您的产品核心存储单元固若金汤，运行无忧。

• 型号:MT29F4G08ABBEAH4:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABBEAH4:E，Micron（美光）产品一站式供应商。