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还在为寻找一颗可靠、高效的核心存储芯片而烦恼吗？MT29F4G08ABBDAH4:D正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的4Gb并行NAND闪存，能为您提供稳定、非易失的海量数据存储空间，让您的设备轻松承载复杂的操作系统、应用程序和用户数据。

它采用先进的闪存技术，拥有512M x 8的存储结构，配合并联接口，可实现高效的数据读写，显著提升系统响应速度。其1.7V~1.95V的低电压供电特性，有助于您设计出更节能的产品。无论是智能硬件、工业控制还是网络通信设备，选择它，就是为您的产品注入了一颗强劲可靠的“数据心脏”。

• 型号:MT29F4G08ABBDAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABBDAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。