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还在为数据存储的稳定性与速度担忧吗？让MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR来为您分忧。这颗美光出品的4Gb并行NAND闪存芯片，核心使命就是为您提供高效、可靠的非易失性存储解决方案。其512M x 8的并行架构能显著加速数据存取，让您的设备响应更迅捷，而2.7V至3.6V的宽电压支持则确保了在复杂供电环境下的稳定运行。

更重要的是，它拥有工业级的坚韧品质，能在-40°C到85°C的极端温度范围内正常工作，让您的产品无惧严寒酷暑的挑战。采用紧凑的48-TSOP封装，非常适合空间优化的现代电子设计。选择它，就是为您的工业控制、网络通信或消费电子设备，选择了一个值得信赖的数据承载伙伴，让您轻松构建更稳定、更高效的系统。

• 型号:MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G08ABAFAWP-AITES:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。