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它能让您的工业控制设备、网络通信设备或高端消费电子产品，轻松应对频繁的数据读写任务，显著延长产品使用寿命，大幅降低因存储故障导致的系统风险。选择它，就是为您的产品注入了稳定、高效的‘记忆基因’，让您在设计和制造中更具信心与优势。

• 型号:MT29F4G08ABAFAM70A3WC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT29F4G08ABAFAM70A3WC1，Micron（美光）产品一站式供应商。