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MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F 零件图片(仅供参考)

MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
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MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F 规格参数

您正在寻找一颗能扛得住颠簸、耐得住严寒酷暑的汽车级存储芯片吗?MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F正是为您而来。这颗由美光科技打造的4Gb NAND闪存,专为汽车电子苛刻环境设计,符合AEC-Q100标准,工作温度横跨-40°C至105°C,让您的车载系统无论面对何种极端气候,都能保证数据存储的绝对可靠与稳定。

它采用并行接口与512M x 8的组织结构,提供高效的数据吞吐能力,轻松满足ADAS、数字仪表、车载信息娱乐等系统对速度和容量的需求。宽电压(2.7V~3.6V)支持和紧凑的63-VFBGA封装,进一步简化了您的电源与布局设计。选择它,就是为您的产品选择了一颗值得信赖的数据基石,让您能更专注于核心功能开发,无惧行车环境的挑战。

  • 制造商产品型号:MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:4Gb(512M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:63-VFBGA
  • MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F4G08ABAFAH4-AATES:F 基本参数:

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