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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F4G08ABAEAWP:E TR就是您理想的答案。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存，旨在让您的设备拥有海量、高速且可靠的数据仓库。

它采用成熟的闪存技术，提供512M x 8的存储容量，通过高效的并联接口与您的主控通信，确保数据读写流畅迅速。其2.7V~3.6V的宽电压支持与0°C~70°C的工作温度范围，让您能轻松将其部署在各种嵌入式应用与消费电子产品中，无需为供电和环境适应性过多担忧。选择它，就是为您的项目选择了一份稳定与高效的保障。

• 型号:MT29F4G08ABAEAWP:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F4G08ABAEAWP:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。