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还在为嵌入式系统寻找既能快速运行又能可靠存储的“全能型”记忆体吗？MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的创新芯片，巧妙地将4Gb NAND Flash与2Gb LPDDR2 DRAM合二为一，让您的设备同时获得海量数据存储能力和高速数据缓存处理能力。

它能让您的设计事半功倍。其并联接口与533MHz的高时钟频率，确保数据吞吐流畅迅捷，满足实时性要求苛刻的应用。1.8V的低功耗设计和宽广的工业级温度范围（-40°C ~ 85°C），则让您的产品在节能与可靠性上双双胜出。无论是复杂的车载系统还是严苛的工业控制，它都能稳定运行，助您轻松构建更高效、更耐用的智能硬件核心。

• 型号:MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:162-VFBGA（10.5x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失性，易失性
• 存储器格式:FLASH，RAM
• 技术:FLASH - NAND，DRAM - LPDDR2
• 存储容量:4Gb（NAND），2Gb（LPDDR2）
• 存储器组织:128M x 32（NAND），64M x 32（LPDDR2）
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.8V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:162-VFBGA
• 供应商器件封装:162-VFBGA（10.5x8）
• MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。