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还在为嵌入式项目寻找一颗即插即用、稳定可靠的存储核心吗？MT29F4G08ABAEAH4-IT:E就是您的高效解决方案。这颗美光出品的4Gb NAND闪存芯片，采用成熟的并联接口，能轻松胜任各种环境下的数据存储任务，让您的设备拥有稳定可靠的“记忆大脑”。

它支持宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（-40°C至85°C）工作，适应性强，无论是工业控制还是消费电子，都能从容应对。其表面贴装的63-VFBGA封装节省空间，便于集成。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场验证的稳定与高效，让您能更专注于核心功能的开发与创新。

• 型号:MT29F4G08ABAEAH4-IT:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABAEAH4-IT:E，Micron（美光）产品一站式供应商。