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您是否在寻找一颗能同时兼顾大容量、高可靠性与设计简便性的存储核心？MT29F4G08ABADAH4:D正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技出品的4Gb并行NAND闪存芯片，采用成熟的63-VFBGA封装，让您能在紧凑的空间内轻松集成512M x 8位的高密度存储，为您的设备提供坚实的数据底座。

它能让您的产品轻松应对海量数据存储需求，其并联接口确保高效的数据吞吐，而宽电压（2.7V-3.6V）支持和0°C至70°C的工作温度范围，则赋予了产品出色的环境适应性与可靠性。无论是加速系统启动，还是保障关键数据不掉电丢失，它都能让您的设计更高效、更稳定。

• 型号:MT29F4G08ABADAH4:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:512M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F4G08ABADAH4:D，Micron（美光）产品一站式供应商。