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还在寻找能瞬间提升您系统响应速度的内存方案吗？MT49H16M36SJ-18:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的576Mb并行DRAM，拥有高达533MHz的时钟频率和仅15ns的访问时间，能轻松应对海量数据的实时读写需求，让您的网络设备、工业控制系统或高端显示设备运行如飞。

它采用1.7V~1.9V的低电压供电和144-TFBGA紧凑封装，在提供强劲性能的同时，兼顾了能效与空间利用率。其宽温（0°C~95°C）工作特性确保了在各种环境下的稳定可靠。选择它，就是为您的核心产品选择了一个高效、稳健的数据处理引擎。

• 型号:MT49H16M36SJ-18:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-FBGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:16M x 36
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-FBGA（18.5x11）
• MT49H16M36SJ-18:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。