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您是否在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心？MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR正是为您而来的答案。这颗由美光科技打造的384Gb NAND闪存芯片，拥有高达333MHz的时钟频率与并联接口，能轻松驾驭海量数据的瞬间读写，让您的设备告别卡顿，体验极速响应。

它为您提供的，是高达48G x 8的广阔存储空间，足以容纳复杂的操作系统、庞大的应用程序库或持续增长的用户数据。其2.5V~3.6V的宽电压支持和0°C~70°C的工业级温度范围，确保了在各种供电条件和环境下的稳定运行，极大提升了您终端产品的适应性和耐用性。选择它，就是为您的项目选择了一个高效、可靠且省心的存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：384Gb（48G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F384G08EBHBBJ4-3RES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。