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更关键的是，其高达333MHz的运行频率，让数据存取如闪电般迅捷，显著提升您设备的整体响应速度和处理效率。宽电压设计和工业级温度范围，则确保了它在各种应用环境中都能稳定工作，让您无需为可靠性担忧。选择它，就是为您的产品选择了一个强大、可靠的数据基石。

• 型号:MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:-
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 333MHZ
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Tb
• 存储器组织:256G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。