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还在为嵌入式项目寻找一颗性能稳定、易于集成的存储核心吗？MT29F2G16ABAEAWP:E正是您理想的解决方案。这颗由美光科技出品的2Gb并行NAND闪存芯片，能够为您的工业控制、网络设备或消费电子产品提供可靠的非易失性数据存储，让您的设备在断电后依然能完整保留关键信息。

它采用成熟的并行接口和128M x 16的组织结构，让您能够高效地进行数据读写操作，轻松应对各种需要稳定存储的应用场景。宽电压（2.7V~3.6V）支持和0°C至70°C的工作温度范围，进一步确保了其在复杂环境下的出色适应性，为您产品的长期稳定运行保驾护航。

• 型号:MT29F2G16ABAEAWP:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:128M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F2G16ABAEAWP:E，Micron（美光）产品一站式供应商。