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还在为嵌入式系统的数据存储核心寻找可靠伙伴吗？MT29F2G08ABDWP:D这颗来自美光科技的2Gb并行NAND闪存芯片，正是为您的高要求应用量身打造。它采用成熟的工艺技术，提供256M x 8的存储组织方式，让您能够高效地存储程序代码、系统参数或用户数据，为您的设备构建坚实的数据基石。

其1.7V~1.95V的低工作电压，显著帮助您降低系统整体功耗，提升能效表现。紧凑的48-TFSOP表面贴装封装，让您在设计PCB时更加游刃有余，轻松实现高密度布局。无论是在工业控制、网络设备还是其他需要非易失性存储的场合，它都能在0°C至70°C的宽温范围内稳定工作，确保您产品的数据持久性与运行可靠性。

• 型号:MT29F2G08ABDWP:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F2G08ABDWP:D，Micron（美光）产品一站式供应商。