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您正在寻找一颗能兼顾性能、可靠性与成本的核心存储芯片吗？MT29F2G08ABBEAH4:E TR正是为您而来。这颗美光科技的2Gb（256M x 8）并行NAND闪存，能以非易失的方式安全存储您的关键数据，其1.7V~1.95V的低电压工作特性，更能助力您的系统实现高效节能。

它采用经典的并行接口，数据吞吐稳定可靠，63-VFBGA的紧凑封装非常适合空间受限的现代电子设计。无论是用于系统引导、参数存储还是用户数据记录，它都能让您的设备运行更流畅、数据管理更轻松。选择它，就是为您的产品选择了一份经过市场千锤百炼的存储解决方案。

• 型号:MT29F2G08ABBEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABBEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。