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还在为嵌入式系统寻找一颗“扛得住”的存储核心吗？MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的2Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能为您提供高速、可靠的数据存储与读取体验，让您的设备数据处理能力瞬间提升。

它拥有256M x 8的灵活组织架构，工作电压覆盖2.7V至3.6V，并能从容应对-40°C到85°C的极端温度挑战。这意味着无论是消费电子还是工业控制应用，它都能确保您的代码、配置和用户数据安全无虞。其表面贴装的63-VFBGA封装，更能帮助您高效利用宝贵的PCB空间，轻松实现更紧凑、更优雅的产品设计。

• 型号:MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAGAH4-ITE:G，Micron（美光）产品一站式供应商。