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还在寻找一颗能扛起数据存储重任、让您高枕无忧的闪存芯片吗？MT29F2G08ABAEAWP-E:E正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的2Gb NAND闪存，采用高效的并行接口，能为您需要大量数据存储的嵌入式设备提供稳定、高速的非易失性存储解决方案。

它能让您的设备在2.7V至3.6V的宽电压范围内稳定工作，轻松应对供电波动，确保数据安全无虞。无论是存储系统固件、用户数据还是运行日志，其256M x 8的组织结构和表面贴装设计，都能让您高效地完成电路板布局，简化生产流程。选择它，就是为您的产品选择了一份历经市场验证的可靠与从容。

• 型号:MT29F2G08ABAEAWP-E:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP I
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP I
• MT29F2G08ABAEAWP-E:E，Micron（美光）产品一站式供应商。