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MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR 零件图片(仅供参考)

MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR
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MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR 规格参数

您正在设计需要应对震动、温差与长时间运行考验的产品吗?MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技出品的2Gb SLC NAND闪存,采用坚固的63-VFBGA封装和并联接口,能让您的设备在-40°C到105°C的极端温度下依然保持高效、稳定的数据读写,轻松满足工业自动化、汽车电子等高可靠性场景的严苛需求。

它不仅仅提供256M x 8的存储空间,更通过SLC技术为您带来卓越的耐用性和超长的数据保存周期。宽电压(2.7V~3.6V)支持让您的电源设计更加灵活。选择它,就是为您的核心系统配置了一个值得信赖的数据保险箱,让您专注于创新,而将存储的可靠性与性能完全托付给行业标杆。

  • 制造商产品型号:MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:Automotive, AEC-Q100
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND(SLC)
  • 存储容量:2Gb(256M x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:63-VFBGA
  • MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR,Micron(美光)产品一站式供应商。
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MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G TR 基本参数:

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