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还在为嵌入式系统寻找一颗可靠的数据存储“心脏”吗？MT29F2G08ABAEAH4:E就是您理想的答案。这颗由美光科技打造的2Gb并行NAND闪存，能为您提供高达256M x 8的海量非易失存储空间，让您的设备轻松容纳复杂的程序代码、用户配置以及运行日志，确保数据在断电后依然安全无虞。

它采用高效的并联接口和2.7V~3.6V宽电压设计，兼容性强，能显著提升您的系统数据吞吐效率。其0°C至70°C的工业级工作温度范围和紧凑的63-VFBGA封装，更让您能从容应对各种严苛环境与紧凑的空间布局挑战，是实现产品高性能、高可靠性的得力助手。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4:E，Micron（美光）产品一站式供应商。