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您是否在寻找一颗能扛重任、让系统运行更流畅的存储芯片？MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR正是为您而来。这颗由美光科技打造的2Gb NAND闪存，采用高效的并行接口，能大幅提升您的数据存取速度，让应用程序响应更迅捷，用户体验更出色。

它为您提供了高达256M x 8的存储空间，足以容纳复杂的程序代码、海量的日志文件或丰富的多媒体内容。其宽广的2.7V至3.6V工作电压范围和-40°C到85°C的工业级工作温度，意味着它能轻松适应从消费电子产品到严苛工业环境的多样化需求，为您产品的可靠性和耐用性加分。选择它，就是为您的设备选择了一个高效、稳定且坚韧的数据仓库。

• 型号:MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:已验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:2Gb
• 存储器组织:256M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F2G08ABAEAH4-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。