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还在寻找能让您的设备拥有“海量记忆”与“闪电反应”的核心部件吗？MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR就是您的理想答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，如同一个高速、巨型的数字仓库，能轻松容纳海量程序、高清媒体文件或持续增长的日志数据，让您的产品告别存储瓶颈。

它通过高效的并联接口，以高达333MHz的时钟频率迅猛读写，显著提升系统响应速度。宽广的工作电压与温度范围，确保它在各种应用环境中稳定可靠。无论是嵌入到智能工厂的控制器、高端记录仪，还是下一代车载系统中，它都能让您的设计游刃有余，性能表现始终高效如一。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。