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还在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储芯片吗？MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的256Gb并行NAND闪存，为您提供了一个高达32GB的海量、非易失的存储空间，让您可以轻松存储庞大的应用程序、多媒体内容或持续增长的系统数据，无需再为容量瓶颈而烦恼。

它搭载的高速100MHz并行接口，能显著提升数据交换效率，让您的设备读写操作更加流畅迅捷，有效减少等待时间，从而提升整体系统响应速度。其宽广的工作电压范围（2.7V~3.6V）和0°C至70°C的工作温度范围，确保了在各种应用环境下都能稳定可靠地运行，为您产品的持久耐力保驾护航。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲、可靠的存储核心。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PARALLEL 100MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：-
• MT29F256G08CMCABK3-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。