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您正在寻找一颗能扛起海量数据存储重任、性能稳定如一的闪存芯片吗？MT29F256G08CBCBBL06B3WC1正是您的理想答案。这颗由美光科技打造的256Gb NAND闪存芯片，采用并联接口，能为您的高端设备提供稳定高速的数据读写通道，轻松应对大数据流的挑战。

它拥有32GB的庞大存储空间和工业级的工作温度范围（0°C ~ 70°C），让您的产品无论是部署在数据中心机柜，还是运行于环境复杂的工业现场，都能确保核心数据的安全与可靠。其宽电压设计（2.7V~3.6V）进一步提升了系统设计的灵活性和电源适应性。选择它，就是为您的解决方案注入一颗强劲、可靠的“数据心脏”，让产品性能表现更加卓越。

• 型号:MT29F256G08CBCBBL06B3WC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 256GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NAND（MLC）
• 存储容量:256Gb
• 存储器组织:32G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT29F256G08CBCBBL06B3WC1，Micron（美光）产品一站式供应商。