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还在为您的智能设备寻找一颗既能海纳百川又能疾速响应的“记忆核心”吗？MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR正是您期待的答案。这颗美光出品的1Tb并行NAND闪存芯片，采用可靠的TLC技术，能轻松为您存储海量数据，从复杂的系统代码到高清媒体文件，都能从容应对。

它让您的设计更高效：1.7V~1.95V的低电压供电不仅节能，其并联接口更能实现快速的数据吞吐，显著提升系统响应速度。采用紧凑的132-VBGA封装，便于您进行高密度板级布局，节省宝贵空间。无论是工业控制、网络通信还是数据中心应用，它都能在0°C~70°C的宽温范围内稳定工作，是您构建可靠、高性能产品的坚实基石。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EEHBFJ4-T:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。