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还在为设备的内存性能瓶颈而烦恼吗？MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的16Gb LPDDR4移动DRAM，能为您的高端移动和嵌入式设备注入强大心脏。它以高达1866MHz的时钟频率和32位宽接口，提供惊人的数据带宽，让您的应用程序运行无比流畅，无论是复杂的图形处理还是实时多任务切换，都能轻松应对。

更重要的是，它采用了先进的低功耗设计，工作电压仅1.1V，能显著提升设备的续航能力。其宽温工作特性（-30°C ~ 85°C）和200-WFBGA小型化封装，让您的产品设计既能适应各种环境挑战，又能实现更轻薄、更紧凑的形态。选择它，就是选择了一个让您的产品性能脱颖而出、用户体验全面升级的高效存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：易失
• 存储器格式：DRAM
• 技术：SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量：16Gb（512M x 32）
• 存储器接口：-
• 时钟频率：1866MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.1V
• 工作温度：-30°C ~ 85°C（TC）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：200-WFBGA
• MT53D512M32D2NP-053 WT ES:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。