我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心吗？MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A正是您期待的答案。这颗由美光科技打造的1Tb并行NAND闪存芯片，能以高达333MHz的时钟频率为您的高速设备注入澎湃动力，让海量数据的存取变得瞬间完成。

它采用工业级标准设计，支持2.5V~3.6V宽电压和0°C~70°C的工作温度，让您的产品无论在何种环境下都能稳定运行。其紧凑的132-VBGA封装，让您能在更小的空间内集成巨大的128GB（1Tb）存储能力，轻松实现产品设计的轻薄化与高性能化，彻底提升终端用户体验。

• 制造商产品型号：MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F1T08EEHAFJ4-3TES:A，Micron（美光）产品一站式供应商。