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还在为系统数据带宽瓶颈而烦恼吗？让MT49H32M18FM-25E:B来为您打破枷锁！这颗美光出品的576Mb（32M x 18）并行DRAM，拥有高达400MHz的运行频率，能为您的高速处理核心提供源源不断的数据流，轻松应对实时计算、高速缓冲等严苛任务。

它采用先进的1.8V左右低电压供电，在释放强劲性能的同时，显著优化系统能效，让您的设备运行更冷静、更持久。其紧凑的144-TFBGA封装和宽泛的0°C至95°C工作温度范围，更能让您从容应对各种紧凑空间与复杂环境下的嵌入式设计挑战，是提升产品竞争力的高效之选。

• 型号:MT49H32M18FM-25E:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:144-BGA（18.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:400 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:15 ns
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:144-TFBGA
• 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
• MT49H32M18FM-25E:B，Micron（美光）产品一站式供应商。