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您是否正在寻找一颗能够轻松驾驭海量数据，让系统性能飞跃的核心存储器？MT29F1T08CUEABH8-12:A TR正是为您而来的解决方案。这颗由美光科技打造的1Tb大容量NAND闪存芯片，采用高效的并行接口，能以高达83MHz的时钟频率快速读写数据，让您的设备处理信息更加流畅迅捷。

它能让您轻松构建稳定可靠的数据存储中心。其宽电压范围（2.7V~3.6V）和工业级工作温度（0°C~70°C）特性，确保了在各种应用环境中都能高效稳定运行。无论是用于数据缓存、程序存储还是媒体归档，它都能提供坚实的存储支持，帮助您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

• 型号:MT29F1T08CUEABH8-12:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-LBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1TBIT PARALLEL 152LBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Tb
• 存储器组织:128G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:83 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-LBGA
• 供应商器件封装:152-LBGA（14x18）
• MT29F1T08CUEABH8-12:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。