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还在为设备存储空间不足、数据读写缓慢而烦恼吗？MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B将彻底改变这一切。这颗来自美光科技的1.5Tb大容量并行NAND闪存芯片，就像为您产品配备了一个高速、海量的数字仓库，让您轻松存储和处理天文数字般的信息，无论是复杂的程序代码、海量的媒体文件还是持续增长的日志数据，都能从容应对。

它凭借267MHz的高时钟频率和并联接口，为您带来流畅迅猛的数据吞吐体验，显著提升系统响应速度。其2.7V至3.6V的宽电压供电和稳健的工业级设计，确保了在各种应用环境中都能高效、稳定地运行。选择它，就是为您的项目选择了一个经过市场验证、性能卓越的存储基石，让产品开发更省心，终端体验更出色。

• 型号:MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1.5Tb
• 存储器组织:192G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:267 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
• MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B，Micron（美光）产品一站式供应商。