我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能够承载海量数据、并确保极速响应的核心存储芯片？MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的1.5Tb大容量NAND闪存芯片，能轻松成为您高端服务器、高速网络设备或大型监控系统的数据仓库，让您的设备从容应对4K/8K视频流、大型数据库和复杂计算任务。

它采用高效的并联接口，运行频率高达333MHz，为您带来卓越的数据传输带宽，显著减少等待时间，提升整体系统效率。宽电压设计和工业级工作温度范围，进一步保证了它在各种应用环境下的稳定性和耐用性。选择它，就是为您的产品选择了一个高性能、高可靠性的存储基石，让您的设计脱颖而出。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
• MT29F1HT08ELHBBG1-3RES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。