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还在为寻找既能海纳百川又能迅如闪电的存储核心而烦恼吗？MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR就是您期待的答案。这颗美光科技的1.5Tb并行NAND闪存芯片，旨在让您的设备轻松驾驭数据爆炸时代。其高达267MHz的时钟频率和并联接口，能为您提供惊人的数据传输带宽，确保无论是启动系统、加载应用还是传输大文件，都能获得极致流畅的体验。

它采用先进的272-VFBGA表面贴装封装，在提供巨大存储空间的同时保持了紧凑的尺寸，帮助您优化产品内部布局。宽广的工作电压（2.7V~3.6V）与温度范围（0°C~70°C），赋予了它出色的环境适应性和可靠性，让您的产品在各种应用场景下都能稳定运行。选择它，就是选择了一个高效、可靠且面向未来的数据存储基石，让您的产品设计更具竞争力。

• 制造商产品型号：MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1.5T PARALLEL 272VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1.5Tb（192G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：272-VFBGA
• MT29F1HT08ELCBBG1-37ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。