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还在为数据存储的稳定与高效而烦恼吗？让MT29F1G16ABCHC:C TR来为您分忧！这颗来自美光科技的1Gb并行NAND闪存芯片，是您嵌入式系统理想的记忆核心。它能为您提供大容量、非易失的数据存储空间，确保关键信息在断电后依然安全无损。

凭借其并联接口和优化的架构，它能实现高效的数据读写，让您的设备响应更迅速，运行更流畅。1.7V~1.95V的低电压工作范围，更能帮助您轻松设计出更节能的产品，延长终端设备的续航能力。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，助力实现更小巧、更集成的产品设计。

• 型号:MT29F1G16ABCHC:C TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G16ABCHC:C TR，Micron（美光）产品一站式供应商。