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还在寻找一颗能让您的嵌入式设计既快又稳的“记忆核心”吗？MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR就是您期待的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存芯片，采用可靠的SLC技术，专为 demanding 应用而设计。

它能让您的系统在-40°C至85°C的极端温度下稳定运行，确保数据在任何环境下都安全无虞。其1.7V~1.95V的低电压操作，显著优化了整体功耗，帮助您轻松打造更节能的产品。无论是工业控制、网络通信还是汽车电子，它都能提供高效、持久的数据存储支持，加速您的产品响应，提升终端用户体验。

选择它，就是为您的项目选择了一份经久耐用的性能保障。

• 制造商产品型号：MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（SLC）
• 存储容量：1Gb（64M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：63-VFBGA
• MT29F1G16ABBFAH4-IT:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。