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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的“老将”吗？MT29F1G16ABBEAHC:E TR就是您的答案。这颗由美光科技出品的1Gb NAND闪存芯片，专为需要稳定、非易失性存储的应用而设计。它采用并联接口和1.8V供电，让您的系统能够高效、可靠地存取海量数据，无论是程序代码、用户设置还是运行日志，都能轻松应对。

它能让您的产品设计更省心。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，极大节省了宝贵的电路板空间，非常适合空间受限的嵌入式设备。0°C至70°C的工作温度范围，确保了在大多数常规环境下稳定运行，数据安全无忧。选择这颗经过市场长期验证的芯片，意味着您选择了一个低风险、高兼容性的成熟方案，可以显著缩短开发周期，让您更专注于产品核心功能的创新。

• 型号:MT29F1G16ABBEAHC:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G16ABBEAHC:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。