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还在寻找一颗能扛起数据存储重任的核心芯片吗？MT29F1G16ABBEAHC:E就是您期待的答案。这颗来自美光科技的1Gb并行NAND闪存，能为您的高性能嵌入式系统提供稳定、非易失的数据仓库，无论是程序代码、系统参数还是用户信息，都能被安全妥善地保存。

它采用紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让您轻松实现高密度电路板设计，节省宝贵空间。其1.7V~1.95V的低电压工作特性，显著提升了能效，助力您的产品更节能。宽泛的工作温度范围（0°C~70°C）确保了在多数常规环境下的可靠运行，让您的设备应对各种场景都游刃有余。选择它，就是选择了一个经过市场验证的高效、可靠的存储解决方案。

• 型号:MT29F1G16ABBEAHC:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（10.5x13）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（10.5x13）
• MT29F1G16ABBEAHC:E，Micron（美光）产品一站式供应商。