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您正在寻找一颗能扛重任、性能可靠的存储核心吗？MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR就是您的答案。这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存，旨在成为您嵌入式系统的坚实数据仓库。

它拥有128M x 8的存储组织结构和并联接口，让数据存取高效流畅。其1.7V~1.95V的宽电压供电范围和-40°C至85°C的工业级工作温度，让您的设备无惧严苛环境挑战，稳定运行。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的可靠性与卓越性能，让您轻松应对各种复杂应用场景。

• 制造商产品型号：MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 130VFBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Gb（128M x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F1G08ABBEAMD-IT:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。