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它能在1.7V至1.95V的低电压下稳定工作，帮助您轻松优化整机能耗。紧凑的63-VFBGA表面贴装封装，让您在设计PCB时游刃有余，节省宝贵空间。选择它，就是选择了一个经过大量应用验证的可靠解决方案，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有坚实稳定的“记忆核心”。

• 型号:MT29F1G08ABBEAH4:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABBEAH4:E TR，Micron（美光）产品一站式供应商。