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还在为嵌入式系统的数据存储空间和稳定性发愁吗？让MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR来为您解决！这颗由美光科技出品的1Gb并行NAND闪存，就像一个高效、可靠的数据仓库。它采用表面贴装型63-VFBGA封装，节省宝贵的PCB空间，同时其宽电压（2.7V-3.6V）和宽温（-40°C至85°C）特性，让您的设备能在各种严苛环境下稳定运行，数据存储无忧。

它能为您的产品做什么？简单说，就是让数据存取变得更快、更稳、更轻松。无论是工业控制器的参数记录、消费电子中的固件存储，还是需要快速读写数据的各种应用，它的并行接口和1Gb（128M x 8）容量都能提供高效支持。选择它，就是为您的产品选择了一颗经久耐用的“记忆核心”，显著提升整体性能和可靠性。

• 型号:MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:63-VFBGA（9x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:128M x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:63-VFBGA
• 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
• MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR，Micron（美光）产品一站式供应商。