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这颗采用成熟并行接口的NAND闪存芯片，能让您的系统实现高效的数据读写。其宽广的2.7V-3.6V工作电压和0°C至70°C的工业级温度范围，赋予了它出色的环境适应性和稳定性，确保您的产品在各种应用场景下都能持续可靠地运行。选择它，就是为您的设计选择了一份经久耐用的存储保障。

• 型号:MT29F16G08ABABAM62B3WC1
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:模具
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 16GBIT PARALLEL DIE
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:16Gb
• 存储器组织:2G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:模具
• 供应商器件封装:模具
• MT29F16G08ABABAM62B3WC1，Micron（美光）产品一站式供应商。