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您是否在寻找一颗能同时满足大容量、高速度与高可靠性的存储核心？MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR正是您的理想之选。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，拥有高达200MHz的并联接口，能为您的高速设备提供澎湃的数据吞吐动力，让系统响应如丝般顺滑。

它能让您的产品轻松驾驭海量数据存储任务，无论是复杂的应用程序、高清媒体文件还是持续增长的日志数据，都能从容应对。其工业级的稳定性和宽电压支持，确保在各种应用环境中都能持久可靠地工作，大幅提升您最终产品的市场竞争力和用户满意度。

• 制造商产品型号：MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PARALLEL 200MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：200MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
• MT29F128G08EBCDBJ4-5M:D TR，Micron（美光）产品一站式供应商。