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还在为设备的数据存储能力而烦恼吗？MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR 将彻底改变这一局面。这颗由美光科技打造的128Gb并行NAND闪存芯片，能为您提供海量、高速且非易失的数据存储空间，让您的设备轻松应对从高清视频缓存到复杂系统固件存储的各种繁重任务。

其并联接口设计确保了高效的数据吞吐，宽电压供电（2.5V~3.6V）则带来了出色的能效和适应性。无论是工业控制、网络通信还是消费电子领域，它都能让您的产品运行更流畅，数据更安全，用户体验大幅提升。选择它，就是为您的核心硬件注入一颗强劲而可靠的“数据心脏”。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 128GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29F128G08CEHGBJ4-3RES:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。