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还在寻找一颗能扛起海量数据存储重任的核心芯片吗？MT29F128G08CECBBH1-10:B就是您的理想答案。这颗美光科技的128Gb NAND闪存，凭借其并联接口和高达100MHz的时钟频率，能为您提供高速、稳定的数据读写通道，让您的设备在处理复杂任务时依然流畅高效。

它拥有16G x 8的宽大存储架构，为您预留充足的数据空间。2.7V~3.6V的宽电压支持，让它在各种供电环境下都能稳定工作，而0°C~70°C的工业级温度范围，则确保了其在多数应用场景中的出色可靠性。无论是用作系统主存还是数据记录介质，它都能让您轻松应对。

选择这颗芯片，就是为您的产品选择了一个久经考验的存储解决方案。它能有效简化您的硬件设计，提升整体系统性能，助您打造出更具市场竞争力的终端设备。

• 型号:MT29F128G08CECBBH1-10:B
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 100VBGA
• 系列:-
• 包装:散装
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-VBGA
• 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
• MT29F128G08CECBBH1-10:B，Micron（美光）产品一站式供应商。