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您正在寻找一颗能瞬间提升系统数据处理能力的核心存储器吗？MT41K64M16JT-125:G TR正是这样一款利器。它是一颗1Gb容量的DDR3L SDRAM，采用高效的64M x 16位并行接口，运行时钟高达800MHz。这意味着它能以极快的速度吞吐数据，显著减少系统等待时间，让您的应用程序运行如飞。

更令人称赞的是，它在提供强劲性能的同时，还兼具出色的能效。其工作电压低至1.35V左右，能有效降低系统整体功耗，特别适合对续航和散热有要求的嵌入式设备。无论是工业控制、网络通信还是高端消费电子，这颗芯片都能让您的设计轻松应对高速数据缓存与处理的挑战，实现更高效、更稳定的运行表现。

• 型号:MT41K64M16JT-125:G TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:96-FBGA（8x14）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:64M x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.75 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:96-TFBGA
• 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
• MT41K64M16JT-125:G TR，Micron（美光）产品一站式供应商。