我们为全球各个行业提供Micron（美光） MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，如同一个高速、海量的数字仓库，能轻松容纳高达16G字节的庞大数据，并通过100MHz的并联接口实现快速读写，让您的系统运行如飞。

它采用先进的非易失存储技术，确保即使在断电情况下，您的重要数据也能安全保存。2.7V~3.6V的宽电压范围和0°C~70°C的工作温度，赋予了它出色的适应性与可靠性，无论是嵌入消费电子产品还是工业设备，都能稳定运行。其100-VBGA的紧凑封装形式，更便于您进行高密度的表面贴装设计，有效节省宝贵的板卡空间。

简而言之，选择MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR，就是为您的产品选择了一个高效、可靠且容量巨大的数据存储核心。它能显著提升产品性能，简化您的开发流程，是您打造下一代智能设备的理想存储伙伴。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PAR 100VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-VBGA
• MT29F128G08CECABH1-10Z:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。