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还在为设备的数据存储瓶颈而烦恼吗？MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR就是您期待的答案。这颗由美光科技打造的128Gb NAND闪存芯片，如同一个高效、海量的数字仓库，能轻松容纳您设备运行所需的海量代码、媒体文件或用户数据。

它采用并联接口，运行时钟频率高达166MHz，确保数据能够快速进出，大幅提升系统响应速度。2.7V~3.6V的宽电压支持与0°C~70°C的工作温度范围，让它能在各种环境下稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。选择它，就是为您的设计注入一颗经过验证的、强大而稳定的存储核心。

• 型号:MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:152-VBGA（14x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 152VBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:152-VBGA
• 供应商器件封装:152-VBGA（14x18）
• MT29F128G08CBCBBH6-6R:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。