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还在寻找能让您的设备拥有“海量记忆”与“敏捷思维”的存储核心吗？MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR闪存芯片正是您的理想答案。它基于美光先进的NAND技术，提供高达128Gb（16GB）的非易失存储空间，让您可以轻松容纳庞大的操作系统、应用程序和用户数据，彻底告别存储空间焦虑。

这颗芯片采用高效的并联接口，运行时钟频率高达100MHz，能显著提升您设备的数据读写速度，让系统响应更迅捷，程序加载更流畅。其2.7V~3.6V的宽电压范围和-40°C至85°C的宽温工作能力，确保了在各种复杂供电环境和严苛温度条件下依然稳定可靠，为您的工业控制、网络通信及高端消费电子项目提供坚实的存储保障。

• 型号:MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:100-TBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 100TBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:128Gb
• 存储器组织:16G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:100 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:100-TBGA
• 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
• MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR，Micron（美光）产品一站式供应商。