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还在为设备的数据存储速度和容量发愁吗？MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR就是您期待的解决方案。这颗美光出品的768Gb大容量NAND闪存芯片，能轻松为您构建海量、高速的数据存储中心。其并联接口支持高达333MHz的时钟频率，让数据读写如闪电般迅捷，彻底释放您设备的性能潜力。

更令人安心的是，它拥有2.5V~3.6V的宽电压适应能力和0°C~70°C的稳定工作范围，确保在各种应用场景下都能持续可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一个高效、稳定且面向未来的强大数据核心。

• 制造商产品型号：MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 768GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：768Gb（96G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：333MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.5V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• MT29E768G08EEHBBJ4-3ES:B TR，Micron（美光）产品一站式供应商。