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还在寻找一颗能扛住恶劣环境、稳定执行代码存储任务的闪存芯片吗？M29F400BT55N6E正是您的理想之选。这颗美光科技的4Mb并行NOR闪存，拥有高达55ns的快速访问时间，让您的处理器能够高效读取指令与数据，显著提升系统响应速度。

它能在4.5V至5.5V的宽电压范围内稳定工作，并经受-40°C到85°C的极端温度考验，确保在工业、汽车等严苛应用中数据万无一失。无论是用作微控制器的程序存储器，还是关键参数的存储单元，它都能让您的设计更稳健、更可靠。

• 型号:M29F400BT55N6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TSOP
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 4MBIT PARALLEL 48TSOP
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:512K x 8，256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:55ns
• 访问时间:55 ns
• 电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
• 供应商器件封装:48-TSOP
• M29F400BT55N6E，Micron（美光）产品一站式供应商。